Koloidní difuzní zdroj fosforu pro přípravu dotovaného křemíku typu N připravený dispergací s anorganickými plnivy

0537419 - ÚFE 2021 RIV cze P1 - Užitný vzor, průmyslový vzor
Mrázek, Jan
Koloidní difuzní zdroj fosforu pro přípravu dotovaného křemíku typu N připravený dispergací s anorganickými plnivy.
[Colloidal diffusion source of phosphorus for preparing N-type doped silicon prepared by dispersion with inorganic fillers.]
2020. Vlastník: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i. Datum udělení vzoru: 18.08.2020. Číslo vzoru: 34310
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: semiconductor * phosphorus * colloid
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0034/uv034310.pdf

Technické řešení se týká složení koloidního difuzního zdroje fosforu pro přípravu dotovaného křemíku typu N připraveného dispergací kyseliny polyfosforečné s alternativním obsahem oxidu křemičitého

The technical solution relates to the composition of a colloidal diffusion source of phosphorus for the preparation of doped silicon type N prepared by dispersion of polyphosphoric acid with an alternative content of silica
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315134