0537418 - ÚFE 2021 RIV cze P - Patentový dokument
Mrázek, Jan
Koloidní difuzní zdroj fosforu pro přípravu dotovaného křemíku.
[Colloidal diffusion source of phosphorus for preparing doped silicon.]
2020. Vlastník: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i. Datum udělení patentu: 19.10.2020. Číslo patentu: 308558
Grant CEP: GA MPO(CZ) FV30151
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: semiconductor * phosphorus * colloid
Obor OECD: Electrical and electronic engineering
Web výsledku:
https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/308/308558.pdf

Koloidní difuzní zdroj fosforu pro přípravu dotovaného křemíku zahrnuje způsob přípravy koloidních difuzních zdrojů a jejich využití při přípravě křemíkových polovodičů typu N nebo polovodičového přechodu PN

The colloidal diffusion source of phosphorus for preparing doped silicon includes a method for preparing colloidal diffusion sources and their use in preparing N-type silicon semiconductors or a PN semiconductor junctionnealing
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0315132