Germaniový a křemíkový laser: historické ohlédnutí a současnost

0532640 - FZÚ 2021 RIV CZ cze J - Článek v odborném periodiku
Pelant, Ivan - Kůsová, Kateřina
Germaniový a křemíkový laser: historické ohlédnutí a současnost.
[Towards a germanium and silicon laser: the history and the present.]
Československý časopis pro fyziku. Roč. 70, č. 1 (2020), s. 45-55. ISSN 0009-0700
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA ČR(CZ) GA18-05552S
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: germanium laser * silicon laser
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
Způsob publikování: Omezený přístup
https://ccf.fzu.cz/vyhledej1.php

Článek shrnuje různé teoretické úvahy i empirické pokusy o dosažení laserové akce na mezipásových elektronových přechodech v polovodičích s nepřímým zakázaným pásem (germanium a křemík), počínaje zrodem „laserové epochy“ na začátku šedesátých let minulého století. Zatímco v germaniu bylo laserování za pokojové teploty a při elektrickém čerpání nedávno konečně experimentálně demonstrováno, v křemíku zůstává tento cíl stále ještě iluzorní. Pro tento případ článek zdůrazňuje nutnost použít poněkud jiný přístup než u germania. V tomto smyslu jsou diskutovány nejnovější výsledky získané s použitím luminiscenčních křemíkových kvantových teček (nanokrystalů).

Various theoretical as well as empirical considerations about how to achieve lasing between the conduction and valence bands in indirect band gap semiconductors (germanium and silicon) are reviewed, starting from the dawn of the laser epoch in the beginning of the sixties. While in Ge the room-temperature lasing under electrical pumping has recently been achieved, in Si this objective remains still illusory. The necessity of applying a slightly different approach in Si as opposed to Ge is stressed. Recent advances in the field are discussed, based in particular on light-emitting Si quantum dots.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0311066