Počet záznamů: 1  

Koloidní difuzní zdroj bóru pro přípravu dotovaného křemíku typu P

  1. 1.
    0523531 - ÚFE 2020 RIV cze P1 - Užitný vzor, průmyslový vzor
    Mrázek, Jan
    Koloidní difuzní zdroj bóru pro přípravu dotovaného křemíku typu P.
    [Colloidal boron diffusion source for the preparation of doped P-type silicon.]
    2019. Vlastník: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i. Datum udělení vzoru: 30.09.2019. Číslo vzoru: 33261
    Grant CEP: GA MPO(CZ) FV30151
    Institucionální podpora: RVO:67985882
    Klíčová slova: semiconductor * boron * colloid
    Obor OECD: Electrical and electronic engineering

    Technické řešení se týká složení koloidního difuzního zdroje bóru pro přípravu dotovaného křemíku typu P

    The utility model relates to the composition of a colloidal diffusion source of boron for the preparation of doped P-type silicon
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0307887

     
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    UFE 0523531.pdf4127.7 KBVydavatelský postprintpovolen
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.