Koloidní difuzní zdroj fosforu pro přípravu dotovaného křemíku typu N

0523530 - ÚFE 2020 RIV cze P1 - Užitný vzor, průmyslový vzor
Mrázek, Jan
Koloidní difuzní zdroj fosforu pro přípravu dotovaného křemíku typu N.
[Colloidal diffuse source of phosphorus for preparing doped of the type N silicon.]
2019. Vlastník: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i. Datum udělení vzoru: 10.06.2019. Číslo vzoru: 32924
Grant CEP: GA MPO(CZ) FV30151
Institucionální podpora: RVO:67985882
Klíčová slova: semiconductor * phosphorus * colloid
Obor OECD: Electrical and electronic engineering

Technické řešení se týká složení koloidního difuzního zdroje fosforu pro přípravu dotovaného křemíku typu N

The utility model relates to the composition of a colloidal diffusion source of phosphorus for the preparation of doped N-type silicon
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0307886