Způsob výroby epitaxní struktury s InGaN kvantovými jamami

0519846 - FZÚ 2020 RIV cze P - Patentový dokument
Hospodková, Alice - Hubáček, Tomáš
Způsob výroby epitaxní struktury s InGaN kvantovými jamami.
[Method of producing an epitaxial structure with InGaN quantum wells.]
2019. Vlastník: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Datum udělení patentu: 18.09.2019. Číslo patentu: 308024
Grant CEP: GA TA ČR TH02010580
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: InGaN/GaN heterostructure * scintillators * detectors
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/308/308024.pdf

Vynález se týká způsobu přípravy InGaN kvantových jam (QW) pomocí organokovové epitaxe nebo epitaxe z molekulárních svazků. Podstata vynálezu spočívá ve způsobu překrývání InGaN tenkých vrstev (QW), které brání nežádoucí desorpci In z InGaN vrstvy a navíc má takto připravené rozhraní dokonalejší krystalografickou strukturu. Překryv InGaN kvantových jam probíhá bez přerušení růstu během procesu zvyšování teploty na teplotu nutnou pro kvalitní růst bariérové, nejčastěji GaN vrstvy. Při růstu krycí vrstvy může být do reaktoru s výhodou přidáváno malé množství In, čímž je ještě účinněji bráněno desorpci In z InGaN QW. Zvýšení koncentrace InN složky v QW způsobem podle tohoto vynálezu je čtyřnásobné, jak bylo ukázáno na výsledcích měření metodou hmotnostní spektroskopie sekundárně odprášených iontů s vysokým hloubkovým rozlišením. Struktury s takto připraveným rozhraním mají několikanásobně vyšší intenzitu luminiscence.

Vynález se týká způsobu přípravy InGaN kvantových jam (QW) pomocí organokovové epitaxe nebo epitaxe z molekulárních svazků. Podstata vynálezu spočívá ve způsobu překrývání InGaN tenkých vrstev (QW), které brání nežádoucí desorpci In z InGaN vrstvy a navíc má takto připravené rozhraní dokonalejší krystalografickou strukturu. Překryv InGaN kvantových jam probíhá bez přerušení růstu během procesu zvyšování teploty na teplotu nutnou pro kvalitní růst bariérové, nejčastěji GaN vrstvy. Při růstu krycí vrstvy může být do reaktoru s výhodou přidáváno malé množství In, čímž je ještě účinněji bráněno desorpci In z InGaN QW. Zvýšení koncentrace InN složky v QW způsobem podle tohoto vynálezu je čtyřnásobné, jak bylo ukázáno na výsledcích měření metodou hmotnostní spektroskopie sekundárně odprášených iontů s vysokým hloubkovým rozlišením. Struktury s takto připraveným rozhraním mají několikanásobně vyšší intenzitu luminiscence.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0304831