Počet záznamů: 1
Spektroskopický systém pro systém hlubokého reaktivního leptání
- 1.0499077 - ÚPT 2019 RIV CZ cze L - Prototyp, funkční vzorek
Šilhan, Lukáš - Šerý, Mojmír - Maňka, Tadeáš
Spektroskopický systém pro systém hlubokého reaktivního leptání.
[Spectroscopic system for deep reactive ion etching system.]
Interní kód: APL-2018-16 ; 2018
Technické parametry: Měřící systém slouží pro měření spektrální odezvy substrátu v systému hlubokého iontového reaktivního leptání. Systém je vybaven multimodovým optickým vláknem pro sběr signálu z plazmové komory, precizní optomechanickou částí pro rozklad signálu do spektrální oblasti. K detekci signálu je použit citlivý řádkový senzor. Ke zpracování měřených dat je využita mikroprocesorová jednotka s USB připojením ovládána programem v jazyce Python. Konstrukce je složena z tříosých kinematických držáků optických komponent (kolimátoru, koutových odražečů, děliče svazku a detekční jednotky). Nastavení optomechanických komponent je provedeno kinematickými závěsy s precizním nastavením. Pro minimalizaci teplotní roztažnosti je celá sestava vyrobena z duralové slitiny.
Ekonomické parametry: Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu s předpokladem smluvního využití s ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Bc. Lukáš Šilhan, silhan@isibrno.cz
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1212
Institucionální podpora: RVO:68081731
Klíčová slova: DRIE * spectroscopy
Obor OECD: Optics (including laser optics and quantum optics)
Zařízení je určeno pro měření spektrální odezvy substrátu v systému hlubokého reaktivního leptání. Měřící systém nám umožňuje monitorovat chemické složení plazmového výboje v komoře, čímž nám umožňuje zastavit leptací proces po dosažení určité hloubky leptu a tím zpřesnit výrobu mikro a nanostruktur.
The device is designed to accurately measure spectral response of substrate in a deep reactive etching system. Measurements system can real time monitor chemical composition of plasma cloud in the chamber, allowing you to stop the etching process after reaching a certain depth of etching, thereby improving the production of micro and nanostructures.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0291360
Počet záznamů: 1