Počet záznamů: 1
Enhancement of the spin Hall voltage in a reverse-biased planar pn-junction
- 1.0463257 - FZÚ 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Nádvorník, Lukáš - Olejník, Kamil - Němec, P. - Novák, Vít - Janda, Tomáš - Wunderlich, Joerg - Trojánek, F. - Jungwirth, Tomáš
Enhancement of the spin Hall voltage in a reverse-biased planar pn-junction.
Physical Review. B. Roč. 94, č. 7 (2016), 1-10, č. článku 0753306. ISSN 1098-0121
Grant CEP: GA MŠMT LM2015087; GA ČR GB14-37427G
GRANT EU: European Commission(XE) 268066 - 0MSPIN
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: spintronics * opto-electronics
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.736, rok: 2014
We report an experimental demonstration of a local amplification of the spin Hall voltage using an expanding depletion zone at a p−n junction in GaAs/AlGaAs Hall-bar microdevices.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0262491
Počet záznamů: 1