Příprava tenkých vrstev feromagnetických polovodičů

0439670 - ÚCHP 2015 CZ cze H - Konferenční sborník (tuzemská konf.)
Koštejn, Martin
Příprava tenkých vrstev feromagnetických polovodičů.
[Preparation of Thin Layers of Ferromagnetic Semiconductors.]
Praha: Česká technika - nakladatelství ČVUT, 2012. 6 s. ISBN 978-80-01-05092-7.
[studentská vědecká konference fyziky pevných látek /2./. Tetřeví boudy (CZ), 29.06.2012-03.07.2013]
Institucionální podpora: RVO:67985858
Klíčová slova: room temperature ferromagnetism * pulsed laser deposition * diluted magnetic semiconductors
Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie

Příspěvek komentuje experimentální přípravu Mn dopovaného křemíku. Si:Mn může být potenciální materiál s feromagnetickými vlastnostmi za pokojové teploty. Si:Mn bylo připraveno pulzní laserovou depozicí Mn terče při 20Pa SiH4 pomocí ArF laseru. Byla určena počáteční teplota 1mm nad povrchem na 1,9eV. Přpravené přesycené vrstvy obsahují 11% manganu a jsou tvořeny malými částicemi. Difrakční obrazy neukazují žádnou krystalizaci Mn nebo Si. ale jsou v nich náznaky silicidů. Připravený materiál je amorfní nebo se skládá z krystalitů pod limitou detekce. EPR spektra ukazují nevázané elektrony, které jsou nutné pro feromagnetické vlastnosti. Žíháním na 1100C dochází ke změně krystalizace a začíná probíhat separace Si a Mn.

The paper reports on the experiments of preparation Mn diluted in Silicon. Si:Mn can be a material with the potential of room temperature ferromagnetism. Si:Mn have been prepared by pulsed laser deposition of Mn target under 20 Pa of silane by ArF laser. We estimate initial temperature 1 mm above surface as 1.9 eV. The prepared supersaturated layers contain 11% of manganese atoms, and they are formed by small particles. Diffraction images show no crystallization of Mn or Si, but there are signs of formation of silicides. The prepared material is amorphous or it contains only nanosized crystals below our limit of detection. Electron paramagnetic spectra show unbounded electrons which are needed for ferromagnetic properties. By annealing to 1100 ̊C changes in the crystallization and start of silicon and manganese separation were observed.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0242872