Príprava hybridných heteroštruktúr na báze dopovaných diamantových a ZnO vrstiev

0434843 - FZÚ 2015 RIV SK slo C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Marton, M. - Mikolášek, M. - Vojs, M. - Kotlár, M. - Flickyngerová, S. - Kozak, Halyna - Ižák, Tibor - Remeš, Zdeněk - Varga, Marián - Artemenko, Anna - Novotný, I.
Príprava hybridných heteroštruktúr na báze dopovaných diamantových a ZnO vrstiev.
[Preparation of hybrid heterostructures based on doped diamond and zinc oxide films.]
Material analysis in vacuum. Bratislava: Slovenská vákuová spoločnosť, 2014 - (Michalka, M.; Vincze, A.; Veselý, M.), s. 16-19. ISBN 978-80-971179-4-8.
[School of Vacuum Technology /17./. Štrbské Pleso (SK), 02.10.2014-05.10.2014]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) 7AMB14SK024
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: boron doped diamond films * ZnO films * hybrid heterostructures * electrical measurements
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Dopovaný diamant je unikátny materiál s nespočetným množstvom aplikácií najmä vďaka jeho fyzikálnym a chemickým vlastnostiam. Diamant typu P možno vyrobiť relatívne jednoducho pridaním plynu obsahujúceho bór (diborán, trimetylborán) do zmesi plynov používaných pri raste diamantovej vrstvy (CH4/H2) technológiou chemickej depozície z pár (CVD), diamant typu však N nie je možné pripraviť použitím “klasických“ donorov ako sú fosfor a arzén. Ďalším z rady širokopásmových polovodivých materiálov je oxid zinku (ZnO) so šírkou zakázaného pásma 3,37 eV, ktorá je až 3x väčšia ako v prípade GaN alebo ZnSe. ZnO s vodivosťou typu N možno pripraviť dopovaním napríklad prvkami Ga, Al, Sc alebo Mn. Výroba bipolárnej ZnO heteroštruktúry je na rozdiel od diamantu obmedzená problémami s dopovaním typu P. Perspektívnym riešením problému absencie jedného typu vodivosti v obidvoch polovodičoch pri príprave heteroštruktúry je použitie diamantu typu P a ZnO typu N.

Doped diamond is a unique material for a different applications because of its physical and chemical properties. P-type diamond can be produced relatively easily by adding a boron containing gas (diborane, trimetylboran) to a mixture of gases used for a growth of diamond films (CH4/H2) by chemical vapor deposition (CVD). But N-type diamond can not be prepared by using "classical" donors such as phosphorus and arsenic. Another series broadband semiconductor material is zinc oxide (ZnO) having a band gap of 3.37 eV, which is 3 times greater than in the case of ZnSe or GaN. ZnO with N-type conductivity can be prepared, for example, doping elements Ga, Al, Sc and Mn. Production bipolar ZnO heterostructures is unlike diamond limited problems prospective P type doping solution to the problem of absence of one conductivity type in both the preparation of semiconductors, the use of diamond heterostructures P-type and N-type ZnO.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0238822