Plazmochemické leptání křemíku v zařízení Diener nano

0429848 - ÚPT 2015 RIV CZ cze J - Článek v odborném periodiku
Urbánek, Michal - Krátký, Stanislav - Matějka, Milan - Kolařík, Vladimír - Horáček, Miroslav
Plazmochemické leptání křemíku v zařízení Diener nano.
[Plasmochemical Etching of Silicon in Diener Nano Device.]
Chemické listy. Roč. 108, č. 6 (2014), s. 592-595. ISSN 0009-2770. E-ISSN 1213-7103
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) LO1212
Klíčová slova: plasmochemical etching * silicon * etching rate * selectivity
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.272, rok: 2014

Jedním z klíčových procesů při výrobě mikro a nanostruktur je opracování povrchů různých materiálů. K opracování povrchu materiálu lze použít metod suchého leptání, jejichž rozvoj nastal s vyššími nároky na leptací techniky kvůli miniaturizaci v mikro a nanotechnologiích. Za jednu z nejpoužívanějších metod pro zápis mikroa nanostruktur ve výzkumu se v současnosti považuje elektronová litografie. K dalšímu zpracování vytvářených struktur se pak používá suché leptání využívající ionizovaného plynu (plazmatu). Techniky suchého leptání se rozdělují podle mechanismu na tři základní skupiny: chemické, fyzikální a chemicko-fyzikální. Z hlediska selektivity leptání se jako vhodný jeví první z uvedených mechanismů, založený na chemické reakci mezi částicemi, které vzniknou ionizací plynu (leptadla) a částicemi leptaného materiálu. Tento proces pak bývá označován jako plazmochemické leptání.

This article deals with plasma etching of Si in a CF4/O2 mixture. This is a common way of Si etching used in micro- and nanofabrication. We determined important parameters such as etching rates and selectivity of Si and PMMA of the process. Experimental part was carried out on plasma system Diener nano.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0234865