0425823 - FZÚ 2014 CZ cze K - Conference Paper (Czech conference)
Hývl, M. - Fejfar, Antonín - Vetushka, Aliaksi
Měření elektrických vlastností křemíkových nanostruktur s použitím mikroskopie atomárních sil.
[The measurement of electrical properties of silicon nanostructures with use of atomic force microscopy.]
Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./. Praha: Česká technika - nakladatelství ČVUT, 2013 - (Aubrecht, J.; Kalvoda, L.; Kučeráková, M.; Štěpánková, A.), s. 107-110. ISBN 978-80-01-05344-7.
[Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./. Krkonoše (CZ), 28.06.2013-02.07.2013]
R&D Projects: GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institutional support: RVO:68378271
Keywords : AFM * photovoltaics * polycrystalline silicon * silicon nanowires
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism

Mikroskop atomárních sil (AFM) je mimo jiné možné použít k měření lokálních změn povrchového potenciálu či lokální vodivosti. Právě tyto vlastnosti jsou obzvláště zajímavé při studiu křemíkových struktur určených k fotovoltaickým aplikacím, jako například polykrystalický křemík či křemíkové dráty. V článku budou popsány jednotlivé měřící metody a ukázány výsledky těchto měření.

Atomic force microscopy (AFM) can be used to measure local surface potential or local conductivity. These properties are very useful to characterize photovoltaic silicon nanostructures, such as polycrystalline silicon or silicon nanorods. In this article, we demonstrate these methods and show the results of our measurements.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0231618