Počet záznamů: 1
Oxygen Precipitation in CZ Si Wafers after High Temperature
- 1.0421395 - ÚFM 2014 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Meduňa, M. - Caha, O. - Kuběna, J. - Kuběna, A. - Svoboda, Milan - Buršík, Jiří
Oxygen Precipitation in CZ Si Wafers after High Temperature.
SILICON 2010. 12th Scientific and Business Conference. Rožnov pod Radhoštěm: TECON Scientific, s.r.o., 2010 - (Vojtěchovský, K.). ISBN 978-80-254-7361-0.
[Scientific and Business Conference SILICON 2010 /12./. Rožnov pod Radhoštěm (CZ), 02.11.2010-05.11.2010]
Institucionální podpora: RVO:68081723
Klíčová slova: oxygen precipitation * Si wafers
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
In this work we study two stage and three stage annealing processes with application of Tabula rasa. The evolution of precipitates at various phases during annealing process for various temperatures was obtained from series of experimental techniques.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0228230
Počet záznamů: 1