Počet záznamů: 1  

Competition between thermally activated and tip-induced hopping of indium atoms on Si(100)

  1. 1.
    0390822 - FZÚ 2013 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
    Setvín, Martin - Javorský, J. - Majzik, Zsolt - Sobotík, P. - Kocán, P. - Ošt'ádal, I.
    Competition between thermally activated and tip-induced hopping of indium atoms on Si(100).
    Physical Review. B. Roč. 85, č. 8 (2012), "081403-1"-"081403-4". ISSN 1098-0121
    Grant CEP: GA AV ČR IAA100100905; GA ČR GD202/09/H041; GA ČR GAP204/10/0952
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: Si(100) * scanning tunneling microscopy
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.767, rok: 2012
    http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.85.081403

    The adsorption and dynamics of single indium atoms on a Si(100) surface were studied by means of scanning tunneling microscopy in a temperature range from 30 to 130 K. Single In adatoms are strongly influenced by a tip-surface interaction which is proportional to the tunneling current.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0219661

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.