Optické vlastnosti stříbrem dotovaných tenkých vrstev o složení Ge28S72 a Ge22Ga6S72 připravených metodou PLD

0387492 - ÚMCH 2013 CZ cze A - Abstrakt
Bartoš, M. - Wágner, T. - Válková, S. - Pavlišta, M. - Vlček, Milan - Beneš, L. - Frumar, M.
Optické vlastnosti stříbrem dotovaných tenkých vrstev o složení Ge28S72 a Ge22Ga6S72 připravených metodou PLD.
[Optical properties of silver doped Ge28S72 and Ge22Ga6S72 thin layers prepared by PLD method.]
Sborník abstraktů. Praha: Vysoká škola ekonomická, 2012. s. 6.
[XVII. odborný seminář doktorandů – Anorganické nekovové materiály. 08.02.2012, Praha]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40500505
Klíčová slova: Ge-Ga-S * thin films * Ag doping
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie

Tenké vrstvy byly připraveny pulzní laserovou depozicí. Připravené vrstvy byly charakterizovány pomocí SEM, EDX analýzy, rentgenové difrakční analýzy, UV/VIS/NIR spektroskopie a spektrální elipsometrie. Na vrstvy byla napařena vrstva stříbra a fotoindukovanou difůzí bylo stříbro rozpuštěno do chalkogenidové vrstvy. Takto připravené vrstvy byly opět charakterizovány.

The thin layers were prepared by PLD method. Prepared layers were characterized by SEM, EDX analysis, XRD, UV/VIS/NIR spectroscopy and VASE spectroscopy. The silver layer was deposited on chalcogenide layers by thermal vacuum evaporation. The silver was dissolved into chalcogenide layer by photoinduced diffusiom. The prepared layers with silver doping were characterized by the same methods.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0216578