Počet záznamů: 1  

Electro- and photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot structures

  1. 1.
    0372948 - FZÚ 2012 GB eng A - Abstrakt
    Oswald, Jiří - Hazdra, P. - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan
    Electro- and photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot structures.
    Quantum Dot 2010. Abstracts book. London: IOP, 2010. s. 395. ISBN N.
    [Quantum Dot 2010. 26.04.2010-30.04.2010, Nottingham]
    Grant CEP: GA ČR GAP102/10/1201; GA ČR GA202/09/0676
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: electroluminescence * photoluminescence * InAs/GaAs * QD
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

    We study the effect of composition and thickness of the low-temperature grown QD capping layer on electroluminescence and photoluminescence from self assembled InAs quantum dots grown by MOVPE.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0206142

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.