Počet záznamů: 1  

Comparison of InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots

  1. 1.
    0371545 - FZÚ 2012 DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla
    Comparison of InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots.
    EWMOVPE 2009. Ulm: DOW Electronic Materials, 2009, s. 179-181.
    [European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /13./. ULM (DE), 07.06.2009-10.06.2009]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/09/0676
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: MOVPE * quantum dots * InAs/GaAs * InGaAs * GaAsSb
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

    We compare properties of InAs/GaAs quantum dots (QDs) covered by InGaAs or GaAsSb strain reducing layers (SRLs) prepared by MOVPE.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0205037

     
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.