Počet záznamů: 1
Mapping of dopants in silicon by injection of electrons
- 1.0367163 - ÚPT 2012 CZ eng K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Hovorka, Miloš - Konvalina, Ivo - Frank, Luděk
Mapping of dopants in silicon by injection of electrons.
Mikroskopie 2011. Nové Město na Moravě: Československá mikroskopická společnost, 2011 - (Frank, L.; Hozák, P.), s. 46. ISBN N.
[Mikroskopie 2011. Nové Město na Moravě (CZ), 17.02.2011-18.02.2011]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: mapping dopants * semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
We have focused on planar p-type structures of various dopant densities, embedded In an n-type substrate. The samples were observed in UHV electron microscope with the cathode lens. Imaging by means of secondary electrons and its quantifiability was verified and the method was extended to very low energies.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0006670
Počet záznamů: 1