Charge exchange between low energy Si ions and Cs adatoms

0358922 - ÚFE 2011 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Chen, X. - Šroubek, Zdeněk - Yarmoff, J. A.
Charge exchange between low energy Si ions and Cs adatoms.
[Nábojová výměna mezi nizkoenergetickými ionty Si a adatomy Cs.]
Surface Science. Roč. 602, č. 2 (2008), s. 620-629. ISSN 0039-6028. E-ISSN 1879-2758
Grant CEP: GA MŠMT MEB060715
Klíčová slova: ion-surface impact * scattering * silicon * alkali metals
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.731, rok: 2008

Unexpectedly large yields of positive and negative ions are produced when 2 and 5 keV Si⁺ is singly scattered from Cs adatoms on Al(100) and Si(111).This is in contrast with Li⁺, in which case the ions are almost completely neutralized. The Si⁺ ions likely result from valence electron resonant transfer (RCT) enhanced by promotion of the ionization level as it interacts with the Cs 2p level.

Pozitivní a negativní ionty jsou generovány ve velkém relativním zastoupení při srážkách 2 a 5keV Si⁺ s adatomy Cs na povrchu Al(100) a Si(111). Toto pozorování je v kontrastu se srážkami Li⁺ s Cs, kdy Li je zcela neutralizován. Bylo zjištěno, že ionty Si⁺ vznikaji rezonančním nábojovým transferem (RCT) zvýšeným srážkovým posunem Cs 2p hladiny.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0196828