Micropore modification in InP

0325803 - ÚFE 2010 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Jarchovský, Zdeněk - Zelinka, Jiří - Komninou, Ph. - Delimitis, A. - Kehagias, Th. - Karakostas, Th.
Micropore modification in InP.
[Modifikace mikroporů v InP.]
Physica Status Solidi A. Roč. 205, č. 11 (2008), s. 2577-2580. ISSN 1862-6300. E-ISSN 1862-6319
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: Porous semiconductors * semiconductors epitaxial layers
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.205, rok: 2008

The structural features and optical properties of microporous InP substrates used for epitaxial overgrowth of thin films have been investigated. Heat treatment of the InP pores under different phosphorus vapor pressure converted them into microcavities maintaining the same crystallographic direction. The capability of improved structural quality homo- and hetero-epitaxial overgrown films on the porous InP, was also demonstrated.

Byly studovány strukturní a optické vlastnost mikroporézních InP podložek sloužících k depozici tenkých vrstev. Tepelně zpracované mikropory v podmínkách různého fosforového tlaku byly konvertovány do mikrobublin, které si zachovávaly tendenci k původní orientaci. Schopnost zlepšovat kvalitu heteroepitaxního zárůstuna na těchto InP podložkách je v práci rovněž demonstrována.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0173102