Naprašované vrstvy SiNx:H s leptáním mono-Si povrchu v plazmatickém H2

0324964 - ÚPT 2009 RIV CZ cze C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hégr, O. - Boušek, J. - Fořt, Tomáš - Sobota, Jaroslav - Vavruňková, V. - Bařinka, R. - Poruba, A.
Naprašované vrstvy SiNx:H s leptáním mono-Si povrchu v plazmatickém H2.
[Sputtered coatings of SiNx:H on H2 plasma etched mono-Si substrate.]
Sborník příspěvků ze 3. České fotovoltaické konference. Rožnov pod Radhoštěm: Czech RE Agency, 2008, s. 172-177. ISBN 978-80-254-3528-1.
[Česká fotovoltaická konference /3./. Brno (CZ), 03.11.2008-05.11.2008]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: magnetron sputtering * passivation layer * SiNx:H * MW-PCD * FTIR
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Příspěvek se zabývá čištěním, aktivací a schopností hydrogenace povrchu monokrystalického křemíku plazmatickým leptáním. Za použití vstupních plynů Ar/H2 je možné na křemíkovém povrchu iniciovat chemické reakce působící podobně, jako je tomu při použití standardního chemického leptacího roztoku. Proces je kombinován s depozicí vrstev SiNx:H nanášených na povrch leptaný v plasmě.

The paper deals with cleaning, activation and ability of hydrogenation of monocrystalline silicon surface with the help of plasma etching in H2. Using the input gases Ar/H2 it is possible to initiate silicon surface chemical reactions acting similar to a standard chemical etching. The process is combined with deposition of SiNx:H layers on plasma etched substrate.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0172537