On Boron Diffusion in MgF2

0323218 - ÚJF 2009 RIV US eng O - Ostatní výsledky
Vacík, Jiří - Hnatowicz, V. - Červená, Jarmila - Pošta, S. - Koester, Ulli. - Pasold, G.
On Boron Diffusion in MgF2.
[O difúzi bóru v MgF2.]
USA: Springer, 2009. AIP Conference Proceedings, 1099. 1
Grant CEP: GA MPO(CZ) 1H-PK2/05; GA MŠMT(CZ) LC06041
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1048901; CEZ:AV0Z10480505
Klíčová slova: Ion irradiation * Boron * MgF2 * Diffusion * Neutron Depth Profiling
Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
http://proceedings.aip.org/proceedings/confproceed/1099.jsp

The MgF2 monocrystals were irradiated with 390 keV B+ ions up to the fluence of 1016 cm-2. The irradiated samples were annealed at the temperatures 200º - 700ºC for the times ranging from 2 – 100 hours. After each annealing step, the boron depth distribution was determined using the neutron depth profiling technique. As implanted, the depth distributions of boron exhibited standard Gaussian-like forms. Annealing at temperatures up to 400ºC did not change the depth profiles. Annealing at 600ºC, however, led to a one-way gradual transfer of the boron atoms from the site of implantation towards the sample surface, and in this way a bimodal profile was created. The amount of boron atoms, transferred to the sample surface, was an increasing function of the annealing time. After annealing at 700ºC for 64 hours the bimodal profile collapsed into a single broad distribution, extending from the sample surface up to the implantation depth.

Monokrystaly MgF2 byly ozářeny ionty bóru o energii 390 keV s fluencí 1016 cm-2. Ozářené vzorky byly žíhány při teplotách 200º - 700ºC po dobu 2 - 100 hodin. Po každém žíhání byla distribuce bóru měřena metodou neutronového hloubkového profilování. Ukázalo se, že nežíhané vzorky mají distribuci bóru ve tvaru standarního Gaussovského rozdělení. Žíhání vzorků do teploty 400ºC nevedlo k žádným změnám hloubkových profilů bóru. Žíhání vzorků při teplotě 600ºC však vedlo k jednosměrnému transferu implantovaných bórových atomů k povrchu. Tímto způsobem vzniklo bimodální hloubkové rozdělení. Množství bórových atomů, které se přemístily k povrchu bylo rostoucí funkcí doby žíhání. Při žíhání 700ºC po dobu 64 hodin došlo ke kolapsu bimodálního rozdělení a ke vzniku široké distribuce přesahující oblast od povrchu až k hloubce implantace bóru. Naměřená data svědčí o stabilitě hloubkových profilů implantovaných bórových atomů při nižších teplotách žíhání.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0171247