Study of bulk semi-insulating GaAs radiation detectors: role of ohmic contact metallization in electrical charge transport and detection performance

0320708 - FZÚ 2009 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Dubecký, F. - Zat'ko, B. - Hubík, Pavel - Boháček, P. - Gombia, E. - Chromík, Š.
Study of bulk semi-insulating GaAs radiation detectors: role of ohmic contact metallization in electrical charge transport and detection performance.
[Studium objemových detektorů záření založených na semiizolačním GaAs: role metalizace ohmického kontaktu v transportu elektrického náboje a v detekční účinnosti.]
ASDAM 2008. Piscataway, N.J: IEEE Operation Center, 2008 - (Haščík, Š.; Osvald, J.), 295 - 298. ISBN 978-1-4244-2325-5.
[International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /7./. Smolenice Castle (SK), 12.10.2008-16.10.2008]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010404
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: radiation detector * semi-insulating GaAs * ohmic contact * work function
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

New types of metallization based on low work function metals were used to prepare ohmic contacts for SI-GaAs radiation detectors. Such metals form blocking barriers for holes. I-V characteristics of the detectors exhibit, comparing with the standard AuGeNi metallization, a reduction of the forward current and other unusual features deserving a more detailed investigation.

Pro ohmické kontakty k SI-GaAs detektoru byly použity nové typy metalizace založené na kovech s nízkou výstupní prací (In, Gd, Mg), které vytvářejí blokující bariery pro díry. Voltampérové charakteristiky těchto detektorů vykazují, ve srovnání se standardní metalizací AuGeNi, redukci propustného proudu a další neobvyklé rysy, které si zasluhují podrobnějšího studia.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0169501