Interpretation of the DLTS spectra of silicon p-n junctions prepared by diffusion technique

0320707 - FZÚ 2009 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Mareš, Jiří J. - Krištofik, Jozef
Interpretation of the DLTS spectra of silicon p-n junctions prepared by diffusion technique.
[Interpretace DLTS spekter p-n přechodů v křemíku připravených difúzní technologií.]
ASDAM 2008. Piscataway, N.J: IEEE Operation Center, 2008 - (Haščík, Š.; Osvald, J.), 155 - 158. ISBN 978-1-4244-2325-5.
[International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /7./. Smolenice Castle (SK), 12.10.2008-16.10.2008]
Grant CEP: GA ČR GA202/07/0525
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: silicon * p-n junction * deep levels * DLTS
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Deep level transient spectroscopy (DLTS)measurements were carried out on silicon diodes prepared by Al-diffusion into n-type material. A simple method of correct assignment of the observed traps to either side of the junction was outlined and tested.

Transientní spektroskopie hlubokých hladin (DLTS) byla použita ke studiu křemíkových diod připravených difúzí Al do materiálu typu n. Byla navržena a ověřena jednoduchá metoda umožňující správně přiřadit pozorované hladiny k oblastem typu n a p.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0169500