Počet záznamů: 1
Comment on "Stimulated emission from trap electronic states in oxide of nanocrystal Si" /Appl. Phys. lett. 92, 221910 (2008)/
- 1.0320307 - FZÚ 2009 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Valenta, J. - Pelant, Ivan
Comment on "Stimulated emission from trap electronic states in oxide of nanocrystal Si" /Appl. Phys. lett. 92, 221910 (2008)/.
[Poznámka k článku "Simulovaná emise z elektronových pastí v oxidu nanokrystalického křemíku". /Appl. Phys. Lett. 92, 221910 (2008)/.]
Applied Physics Letters. Roč. 93, č. 6 (2008), 066101/1-066101/1. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: silicon nanostructures * porous silicon * stimulated emission * ruby rod
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.726, rok: 2008
We argue against interpretation of experimental results published by Huang et al.[Appl. Phys. Lett. 92, 221910 (2008)].
Diskutujeme o správnosti interpretace experimentálních výsledků Huanga a kol. [Appl. Phys. Lett. 92, 221910 (2008)].
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0169224
Počet záznamů: 1