Počet záznamů: 1
Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots
- 1.0318588 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots.
[Vliv krycí vrstvy na vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček připravených technologií MOVPE.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 310, č. 23 (2008), s. 5081-5084. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/06/0718
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: atomic force microscopy * nanostructures * low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy * semiconducting III–V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.757, rok: 2008
We have studied the effect of GaAs capping layer growth rate on the quantum dot (QD) properties. It was found that higher growth rate of capping layer decreases the dissolution of In atoms from QDs.
Studovali jsme efekt rychlosti růstu GaAs krycí vrstvy na vlastnosti kvantových teček (QD). Vyšší rychlost růstu snižuje rozpouštění In atomů z QD .
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0167961
Počet záznamů: 1