Scanning Low Energy Electron Microscopy of Doped Silicon at Units of EV

0315452 - ÚPT 2009 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hovorka, Miloš - Mikmeková, Šárka - Frank, Luděk
Scanning Low Energy Electron Microscopy of Doped Silicon at Units of EV.
[Zobrazení dopovaného křemíku na velmi nízkých energiích pomocí rastrovacího elektronového mikroskopu.]
Proceedings of the 11th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation. Brno: Institute of Scientific Instruments AS CR, v.v.i, 2008 - (Mika, F.), s. 49-50. ISBN 978-80-254-0905-3.
[International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation /11./. Skalský dvůr (CZ), 14.07.2008-18.07.2008]
Grant CEP: GA AV ČR IAA100650803
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: SLEEM * dopant * silicon
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

Scanning low energy electron microscope equipped with cathode lens was employed in observation of differently doped areas in silicon imaged at units of eV. The phenomena connected with injected charge, contamination and modulation of electron reflectivity are discussed.

Rastrovací elektronový mikroskop vybavený katodovou čočkou byl použit pro studium křemíku s různě dopovanými oblastmi, které byly zobrazeny na velmi nízkých energiích (jednotky eV). Jsou diskutovány jevy související s injektovaným nábojem, kontaminací a modulací reflektivity signálních elektronů.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0165651