Angle - resolved photoemission study of two phases of the GaAs(100)-c(4x4) surface

0315348 - FZÚ 2009 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Cukr, Miroslav - Jiříček, Petr - Bartoš, Igor - Sadowski, J.
Angle - resolved photoemission study of two phases of the GaAs(100)-c(4x4) surface.
[Studium dvou fází povrchu GaAs (100)-c(4x4) pomocí úhlově rozlišené fotoemise.]
Journal of Physics: Conference Series. Roč. 100, - (2008), 072017/1-072017/4. ISSN 1742-6588. E-ISSN 1742-6596
Grant CEP: GA AV ČR IAA100100628; GA ČR GA202/07/0601
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: gallium arsenide * molecular beam epitaxy * photoelectron spectroscopy * surface reconstruction * surface phases * electron states
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

We prepared by molecular beam epitaxy two chemically different phases of the same surface reconstruction on GaAs and found by photoelectron spectroscopy the correspondence between the bonding states and their recently proposed atomic models.

Pomocí molekulární epitaxe jsme připravili dvě chemicky odlišné fáze téže povrchové rekonstrukce na GaAs a studiem jejich fotoemise jsme nalezli soulad jejich vazebných stavů s dříve navrženými atomárními modely.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0165573