On the magnetic properties of Gd implanted GAN

0313176 - FZÚ 2009 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Hejtmánek, Jiří - Knížek, Karel - Maryško, Miroslav - Jirák, Zdeněk - Sedmidubský, D. - Sofer, Z. - Peřina, Vratislav - Hardtdegen, H. - Buchal, C.
On the magnetic properties of Gd implanted GAN.
[O magnetických vlastnostech GaN s implantovaným Gd.]
Journal of Applied Physics. Roč. 103, č. 7 (2008), 07D107/1-07D107/3. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
Grant CEP: GA ČR GA104/06/0642
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521; CEZ:AV0Z10480505
Klíčová slova: ferromagnetic materials * gadolinium * gallium compounds * III-V semiconductors * ion implantation
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.201, rok: 2008

Thin films of GaN semiconductor, grown on sapphire substrate, have been implanted using a flux of Gd ions. The material obtained exhibits weak ferromagnetism persisting up to 700 K. The experiments show that ferromagnetic ordering is property of weakly doped Ga1-xGdxN (x<0.01), while higher Gd concentrations lead to Curie-type paramagnetism only.

Tenké vrstvy polovodiče GaN vypěstované na safírových podložkách byly implantovány svazkem iontů Gd. Získaný materiál vykazuje slabý feromagnetismus přetrvávající do 700 K. Experimenty ukazují, že feromagnetické uspořádání je vlastností pouze slabě dopovaného Ga1-xGdxN (x<0.01), kdežto vyšší koncentrace Gd přispívají pouze k paramagnetismu Curieho typu.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0164073