0312859 - FZÚ 2009 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
De Ranieri, E. - Rushforth, A.W. - Výborný, Karel - Rana, U. - Ahmad, E. - Campion, R. P. - Foxon, C. T. - Gallagher, B. L. - Irvine, A.C. - Wunderlich, J. - Jungwirth, Tomáš
Lithographically and electrically controlled strain effects on AMR in (Ga,Mn)As.
[Litograficky a elektricky ovladane vlivy mechanickych deformaci na AMR v (Ga,Mn)As.]
New Journal of Physics. Roč. 10, č. 6 (2008), 065003/1-065003/19. ISSN 1367-2630. E-ISSN 1367-2630
Grant CEP: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KJB100100802; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E002
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: anomalous Hall effect * Keldysh formalism * Rashba system
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.440, rok: 2008 ; AIS: 1.863, rok: 2008
DOI: https://doi.org/10.1088/1367-2630/10/6/065003

We demonstrate experimentally that lithographically or electrically induced strain variations can produce crystalline AMR components which are larger than the crystalline AMR and a significant fraction of the total AMR of the unprocessed (Ga,Mn)As material. Complete phenomenological AMR expressions are derived and new higher order terms are reported in experiments.

Experimentálně je ukázáno, ze litograficky nebo elektricky ovládané mechanické deformace v (Ga,Mn)As dávají vzniknout velmi silným krystalickým komponentám AMR. Jsou odvozeny úplné fenomenologické vzorce pro AMR.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0163813