Influence of Yb and Yb.sub.2./sub.O.sub.3./sub. on the properties of InP layers

0308798 - ÚFE 2011 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Procházková, Olga - Grym, Jan - Zavadil, Jiří - Lorinčík, Jan - Žďánský, Karel
Influence of Yb and Yb₂O₃ on the properties of InP layers.
[Vliv Yb a Yb₂O₃ na vlastnosti InP vrstev.]
IPRM 2008 - Proceedings of the 20th Indium Phosphide and Related Materials Conference. Piscataway: Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2008, ---. ISBN 978-1-4244-2258-6. ISSN 1092-8669.
[IPRM 2008 - Indium Phosphide and Related Materials Conference /20./. Versailles (FR), 25.05.2008-29.05.2008]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153; GA ČR(CZ) GP102/08/P617
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
Klíčová slova: semiconductor technology * indium compounds * rare earth compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

The investigation of gettering and/or doping efficiency of Yb and Yb₂O₃ added into the growth process of InP epitaxial layers. Layers were examined by SIMS, low temperature PL spectroscopy, C-V and temperature dependent Hall measurements. The gettering was confirmed for both Yb and Yb₂O₃; doping effect, i.e. incorporation of Yb3⁺ into InP lattice was confirmed only for Yb addition. Dominant acceptor responsible for n-p conductivity conversion was identified as isoelectronic Yb impurity on the In site.

Zkoumána možnost getrování a dopování pomocí Yb a Yb₂O₃, které byly přidány do taveniny pro růst InP vrstev metodou LPE. Závěry odvozeny z měření teplotní závislosti Hallova jevu, nízkoteplotní fotoluminiscence, C-V charakteristik a chemického složení stanoveného metodou SIMS. Getrovací efekt potvrzen jak u Yb tak u Yb₂O₃, zabudování do mřížky InP potvrzeno pouze u Yb. Jako dominantní akceptor odpovědný za konverzi vodivostního typu z n na p identifikováno Yb (izoelektronická příměs na místě In).
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0161159