Growth of indium phosphide bulk crystals for radiation detectors

0308797 - ÚFE 2008 US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Pekárek, Ladislav - Žďánský, Karel - Procházková, Olga
Growth of indium phosphide bulk crystals for radiation detectors.
[Růst objemových krystalů indium fosfidu pro detektory záření.]
IPRM 2008 - Proceedings of the 20th Indium Phosphide and Related Materials Conference. Piscataway: Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2008, ---. ISBN 978-1-4244-2258-6. ISSN 1092-8669.
[IPRM 2008 - Indium Phosphide and Related Materials Conference /20./. Versailles (FR), 25.05.2008-29.05.2008]
Grant CEP: GA ČR GA102/06/0153; GA AV ČR KAN400670651
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100523
Klíčová slova: semiconductor technology * indium compounds
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

Bulk InP single crystals were grown by Czochralski method using vertical Bridgman low pressure synthesis of polycrystalline InP. The semi-insulating state necessary for radiation detection was created by iron doping or Fe-Zn and Ti-Zn co-doping. High temperature annealing was also done. Defects were studied by X-ray methods. For characterization the Hall measurements and mass spectroscopy were used. The detection efficiency of prepared detection structures was measured.

Pro růst monokrystalického InP Czochralského metodou se využívá polykrystalický InP připravený Bridgemanovu nízkotlakou vertikální syntézu. Semiizolačního stavu, který je nezbytný pro detektorové struktury, bylo dosaženo dopováním železem nebo ko-dopováním Fe-Zn a Ti-Zn. Krystaly dopované Ta byly tepelně formovány. Defekty byly stanovovány na leptaných vzorcích RTG metodou. Krystaly byly charakterizovány hmotovou spekroskopii a měřením Hallova jevu. U detektorových struktur byla měřena detekční účinnost.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0161158