Two-dimensional dopant profiling with low energy SEM

0308202 - ÚPT 2008 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Mika, Filip - Frank, Luděk
Two-dimensional dopant profiling with low energy SEM.
[Tvorba dvourozměrných profilů dopantu s níkoenergiovým SEM.]
Journal of Microscopy. Roč. 230, č. 1 (2008), s. 76-83. ISSN 0022-2720. E-ISSN 1365-2818
Grant CEP: GA ČR GA102/05/2327
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20650511
Klíčová slova: dopant contrast * low energy SEM * semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 1.409, rok: 2008

The scanning electron microscope has proven itself efficient for determining dopant concentrations in semiconductors. Contrast between differently doped areas is observable in the secondary electron emission. Multiple studies have revealed quantitative relations between the image contrast and dopant concentration. However, intimate examination shows a low reproducibility of the contrast level for a particular local difference between the doping rates. Data about dynamic behaviour of the dopant contrast and its dependence on the status of the sample surface are presented.

Rastrovací elektronový mikroskop se osvědčil jako nástroj pro zjištění koncentrace dopantu v polovodičích. Kontrast mezi rozdílně dopovanými oblastmi je pozorován v obraze sekundárních elektronů. Kvantitativním vztahem mezi obrazovým kontrastem a koncentrací dopantu se zabývá více studií. Podrobný výzkum však ukázal nízkou reprodukovatelnost úrovně kontrastu mezi rozdílně dopovanými strukturami. V článku je ukázáno dynamické chování kontrastu dopantu a jeho závislost na stavu povrchu vzorku.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0160756