Growth and properties of InAs/In.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As/GaAs quantum dot structures

0308047 - FZÚ 2008 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Vyskočil, Jan - Hospodková, Alice - Kuldová, Karla - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Growth and properties of InAs/In_xGa_1-xAs/GaAs quantum dot structures.
[Růst a vlastnosti InAs/In_xGa_1-xAs/GaAs struktur s kvantovými tečkami.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 310, 7-9 (2008), s. 2229-2233. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA AV ČR KJB101630601; GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/06/0718; GA ČR GA202/05/0242
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: nanostructures * metalorganic vapor-phase epitaxy * semiconducting III–V materials
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.757, rok: 2008

Single- and double-layer InAs/GaAs quantum dot structures with strain-reducing layers (SRLs) were prepared by metalorganic vaporphase epitaxy using the Stranski–Krastanow growth mode. Structures were studied in-situ by reflectance anisotropy spectroscopy (RAS), and ex-situ by photoluminescence (PL). These structures, with very intense room temperature PL at wavelengths from 1.25 to 1.55 μm according to growth and structure parameters, were grown along while monitored with RAS. Strong correlation between RAS signal and PL intensity was found. Dependence of PL emission maximum position on SRL composition and capping layer thickness is shown.

Struktury s jednou a dvěma vrstvami InAs/GaAs kvantových teček a vrstvami redukujícími pnutí byly připraveny pomocí MOVPE. Růst těchto struktur, vykazujících velmi intenzivní fotoluminiscenci za pokojové teploty emitované na vlnových délkách od 1.25 do 1.55 μm byl monitorován pomocí RAS.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0160642