Ballistic electron emission spectroscopy/microscopy of self-assembled InAs quantum dots of different sizes embedded in GaAs/AlGaAs heterostructure

0308014 - ÚFE 2008 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Walachová, Jarmila - Zelinka, Jiří - Malina, Václav - Vaniš, Jan - Šroubek, Filip - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hulicius, Eduard
Ballistic electron emission spectroscopy/microscopy of self-assembled InAs quantum dots of different sizes embedded in GaAs/AlGaAs heterostructure.
[Balistická elektronová emisní spektroskopie/mikroskopie samouspořádaných InAs kvantových teček různých velikostí v GaAs/AlGaAs heterostruktuře.]
Applied Physics Letters. Roč. 92, č. 12 (2008), 012101.1-012101.3. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA ČR GA202/05/0242
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10750506; CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: quantum dots * ballistic transport * semiconductor heterojunctions
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.726, rok: 2008

Self assembled InAs quantum dots embedded in GaAs/GaAlAs heterostructure were visualized by ballistic electron emission microscopy. The spectroscopic characteristics on individual quantum dots with length from about 10 nm to 20 nm were examined. The Coulomb interaction and exchange energies between two electrons in quantum dots were determined and compared with the previously published theoretical results.

Pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie byly vizualizovány samouspořádané InAs kvantové tečky v GaAs/AlGaAs heterostruktuře. Na jednotlivých kvantových tečkách s délkou od 10 nm do 20 nm byly analyzovány jejich spektroskopické charakteristiky. Z výsledků měření byla určena Coulombická a výměnná energie mezi dvěma elektrony a porovnána s dříve publikovanými teoretickými výsledky.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0160617