Electronic structure of indium-tin alloys

0307353 - ÚFM 2008 RIV CZ eng K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Všianská, Monika - Legut, Dominik - Šob, Mojmír
Electronic structure of indium-tin alloys.
[Elektronová struktura slitin india a cínu.]
VII. pracovní setkání fyzikálních chemiků a elektrochemiků. Brno: Masarykova univerzita, 2007 - (Trnková, L.; Janderka, P.; Kizek, R.), s. 135-137. ISBN 978-80-210-4235-3.
[Pracovní setkání fyzikálních chemiků a elektrochemiků /7./. Brno (CZ), 29.01.2007-30.01.2007]
Grant CEP: GA AV ČR IAA1041302; GA MŠMT OC 147; GA ČR GD106/05/H008
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20410507
Klíčová slova: electronic structure * gamma-tin * indium-tin alloys
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

The In-Sn system is interesting due to the existence of the simple hexagonal (sh) structure for compositions from 75 to 87 at% Sn at 25 ºC and from 73 to 85 at% Sn at -150 ºC. These alloys are usually referred to as gamma-Sn. Here we study the electronic structure and total energy of gamma-Sn with the help of virtual crystal approximation and demonstrate that sh structure has the lowest energy in the interval of existence of gamma-tin.

Na základě výpočtů elektronové struktury z prvních principů je studována elektronová struktura a totální energie gamma-cínu.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0160150