Počet záznamů: 1  

Physical properties of InP epitaxial layers prepared with dysprosium admixture

  1. 1.
    0304157 - URE-Y 20030070 RIV CZ eng K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
    Grym, Jan - Procházková, Olga
    Physical properties of InP epitaxial layers prepared with dysprosium admixture.
    Prague: Czech Technical University, 2003. CTU Reports., 7, 2003 Sp. Issue. ISBN 80-01-02708-2. In: Proceedings of Workshop 2003., s. 550-551
    [Workshop 2003. Annual University-Wide Seminar /10./. Prague (CZ), 10.02.2003-12.02.2003 (W)]
    Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043; GA ČR GA102/03/0379
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
    Klíčová slova: rare earth elements * liquid phase epitaxial growth * III-V semiconductors
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

    Physical properties of commonly prepared InP layers grown by LPE technique and those grown from Dy treated melt are compared. The layers were examined by SEM, low temperature PL spectroscopy, C-V measurements and temperature dependent Hall effect. Structural, electrical and optical properties of InP layers exhibit a significant dependence on the presence of Dy and its concentration in the melt. When increasing the concentration of Dy the reversal of electrical conductivity occurs.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114298

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.