Optické vlastnosti vrstvy GaN na safíru

0303880 - URE-Y 20010105 CZ cze K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Skalský, Miroslav - Janta, Jiří - Čtyroký, Jiří - Stejskal, J. - Hüttel, I.
Optické vlastnosti vrstvy GaN na safíru.
[Optical properties of the GaN on sapphire.]
Praha: TECHMARKET, 2001. ISBN 80-86114-42-2. In: Optické komunikace - O.K.'2001. - (Kucharski, M.), s. 81-85
[Optické komunikace - O.K.'2001 /5./. Prague (CZ), 06.11.2001-07.11.2001 (K)]
Grant CEP: GA AV ČR KSK2067107 Projekt 07/01:4072
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: integrated optics * optical waveguides * thin films
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

V příspěvku je stručně popsána metoda vidové spektroskopie pro měření optických vlastností epitaxní vrstvy nitridu galitého (GaN) na safírové podložce. Jsou uvedeny výsledky měření tloušťky, indexů lomu a útlumu vedených vidů pro vlnové délky 632,8 nm a 781 nm. Z naměřených hodnot měrného útlumu vedených vidů je kvalitativně stanoven podíl absorpce v objemu vlnovodné vrstvy a rozptylu na jejích rozhraních na celkových optických ztrátách vlnovodu.

The method of mode spectroscopy was used to measure optical properties of epitaxial layers of gallium nitride (GaN) deposited onto the sapphire substrate. The results of the measurement of the layer thickness, refractive indices, and the attenuation of guided modes at the wavelengths of 632.8 nm and 781 nm are presented. From experimental values of attenuation of different guided modes, the contributions of bulk absorption and scattering at the interfaces of the layer to the total optical loss in the waveguide are determined.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114064