Charakterizace Bi.sub.2./sub.Te.sub.3./sub. pomocí AFM

0303669 - URE-Y 20000069 CZ cze I - Interní tisk
Vaniš, Jan - Czajka, R. - Horák, Jaromír - Lošťák, P. - Karamazov, S. - Walachová, Jarmila
Charakterizace Bi₂Te₃ pomocí AFM.
[Characterisation Bi₂Te₃ with AFM.]
B.m.: [Spektroskopická společnost Jana Marca Marci], 2000. 1 s. 2. Seminář o rastrovací tunelovací mikroskopii, spektroskopii a příbuzných technikách. s. 23
Grant CEP: GA ČR GA102/97/0427
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: nanostructured materials * semiconductor materials * thermoelectric devices
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

Pomocí AFM bylo pozorováno atomové rozlišení, výskyt Te vakancí a schodů na štípnutém Bi₂Te₃ v Te rovině.

Observation of atomic resolution, existence of Te vacancies and existence of steps on cleaved Bi₂Te₃ (Te plane) by AFM is presented.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113857