Počet záznamů: 1
From InP/GaInAsP interface study to nanometer range heterostructure detection with probe method
- 1.0302515 - URE-Y 940038 US eng J - Článek v odborném periodiku
Walachová, Jarmila - Šroubek, Zdeněk - Zelinka, Jiří - Kot, Miroslav - Pittroff, W.
From InP/GaInAsP interface study to nanometer range heterostructure detection with probe method.
Journal of Vacuum Science & Technology A : Vacuum, Surfaces and Films. Roč. 12, č. 1 (1994), s. 312-316. ISSN 0734-2101. E-ISSN 1520-8559
Výzkumný záměr: Ústavní úkol č. 0130
Klíčová slova: impurity distribution * semiconductor junctions * measurement
Impakt faktor: 1.771, rok: 1994
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112894
Počet záznamů: 1