Počet záznamů: 1
Properties of RF magnetron sputtered galium nitride semiconductors doped with erbium
- 1.0185890 - UJF-V 20033197 DE eng A - Abstrakt
Peřina, Vratislav - Macková, Anna - Hnatowicz, Vladimír - Prajzler, V. - Machovič, V. - Schröfel, J.
Properties of RF magnetron sputtered galium nitride semiconductors doped with erbium.
Book of Abstracts of the European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis /10./. 2003. s. 195.
[European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis /10./. 05.09.2003-10.09.2003, Berlín]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1048901
Klíčová slova: galium nitride * doped Er * RF magnetron sputtering
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0082241
Počet záznamů: 1