Počet záznamů: 1
Modeling of diffusion barrier in nanocrystalline growth
- 1.0178145 - UFM-A 20033166 RIV SIGLE CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Čermák, Jiří - Rothová, Věra
Modeling of diffusion barrier in nanocrystalline growth.
NANO 03. Brno: VUT Brno, fakulta strojního inženýrství, 2003 - (Šandera, P.), s. 232-235. ISBN 80-214-2527-X.
[International Conference NANO /03./. Brno (CZ), 21.10.2003-23.10.2003]
Grant CEP: GA ČR GA106/01/0384; GA AV ČR IBS2041105; GA AV ČR Z20419004-I004
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2041904
Klíčová slova: FINEMET * Ge diffusion * nanocrystalline growth
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
The diffusion of Ge, simulationg the diffusion of Si was studied in eutectic Fe-Nb, in iron and in the Fe2Nb compound, which models the Nb-rich envelope of growing FexSi crystallites in FINEMETs.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0075035
Počet záznamů: 1