Počet záznamů: 1  

Intelligent design of GaSb doped single crystals

  1. 1.
    0132353 - FZU-D 990297 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Štěpánek, Bedřich - Šesták, Jaroslav - Mareš, Jiří J. - Krištofik, Jozef - Šestáková, Věra - Hubík, Pavel
    Intelligent design of GaSb doped single crystals.
    Proceedings of the Second International Conference on Intelligent Processing and Manufacturing of Materials. Vol. 1. New York: Institut of electrical and electronics engineers (IEEE), 1999 - (Meech, J.; Veiga, M.; Smith, M.; LeClair, S.), s. 437-442. ISBN 0-7803-5489-3.
    [International Conference on Intelligent and Manufacturing of Materilas /2./. Honolulu (US), 10.07.1999-15.07.1999]
    Grant CEP: GA ČR GA100/98/0034; GA ČR GA104/97/0589; GA ČR GA202/99/0410
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0030380
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.