Počet záznamů: 1
The DX center in GaAs doped with S, Te and Si under high hydrostatic pressure
- 1.0130333 - FZU-D 940633 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Zeman, Jan - Zigone, M. - Martinez, G.
The DX center in GaAs doped with S, Te and Si under high hydrostatic pressure.
Proceedings of the 32nd Annual Meeting of the European High Pressure Research Group - High Pressure in Material Science and Geosience. Brno: Technical University, 1994 - (Kamarád, J.; Arnols, Z.; Kapička, A.), s. 150-153. ISBN 80-85849-93-3.
[Annual Meeting of the European High Pressure Research Group /32./. Brno (CZ), 29.08.1994-01.09.1994]
Grant CEP: GA ČR GA202/93/1160
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0028466
Počet záznamů: 1