Very thin layers prepared by laser ablation from Bi.sub.2./sub.Te.sub.3./sub. target

0105839 - URE-Y 20040034 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Zeipl, Radek - Karamazov, S. - Jelínek, Miroslav - Lošťák, P. - Pavelka, Martin - Winiarz, S. - Czajka, R. - Vaniš, Jan - Šroubek, Filip - Zelinka, Jiří - Walachová, Jarmila
Very thin layers prepared by laser ablation from Bi₂Te₃ target.
[Velmi tenké vrstvy připravené laserovou ablací z Bi₂Te₃ terčíku.]
Proceedfings ICT 2003. Piscataway: IEEE, 2003, s. 342-345. ISBN 0-7803-8301-X.
[ICT2003 - International Conference on Thermoelectrics /22./. La Grande-Motte (FR), 17.08.2003-21.08.2003]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) KSK1010104; GA ČR(CZ) GA202/02/0098
Klíčová slova: thin films * thermoelectricity * bismuth compounds
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Transport properties for 60nm thick layers prepared by the laser ablation from Bi₂Te₃ target and deposited on quartz glass substrates were explored. The energy density of the laser beam on the target was 2Jcm^-2 and temperature of the substrate varied between (20-480^oC) for different samples. The influence of temperature of substrate during the deposition on topography of layers measured by STM (Scanning Tunnelling Microscope) is presented.

Transportní vlastnosti 60nm tlustých vrstev připravených laserovou ablací z Bi₂Te₃ terčíku na křemenné substráty byly prozkoumány. Hustota energie laserového svazku byla 2Jcm^-2 a teplota substrátu se měnila v rozsahu 20-480°C pro různé vzorky. Prezentován je i vliv teploty substrátu na topografii vrstev měřenou pomocí STM (Rastrovací Tunelový Mikroskop).
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013027