Elastic electron backscattering from silicon surfaces: effect of charge-carrier concentration

0104231 - FZU-D 20040573 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Zemek, Josef - Jiříček, Petr - Lesiak, B. - Jablonski, A.
Elastic electron backscattering from silicon surfaces: effect of charge-carrier concentration.
[Pružný odraz elektronů od povrchu křemíku: vliv koncentrace nosičů náboje.]
Surface and Interface Analysis. Roč. 36, - (2004), s. 809-811. ISSN 0142-2421. E-ISSN 1096-9918
Grant CEP: GA ČR GA202/02/0237
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: elastic peak electron spectroscopy(EPES) * inelastic mean free path(IMFP) * elastic electron backscattering probability * charge-carrier concentrations * silicon
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.209, rok: 2004

Silicon wafers, p- and n-doped with different free-carrier charge concentrations, were selected as model materials to study a possible influence of charge-carrier concentrations (or electrical conductivity) on measured elastic electron backscattering probabilities and electron inelastic mean free paths determined by elastic peak electron spectroscopy

Křemík p a n typu o různé koncentraci nosičů náboje byl vybrán jako modelový materiál ke studiu možného vlivu koncentrace nosičů náboje na pravděpodobnost pružného rozptylu elektronů a na hodnoty střední neelastické volné dráhy získané pomocí spektroskopie elastického píku
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0011506