Měření elektro-optických vlastností kvantově-rozměrových struktur na bázi InAs/GaAs - fotoproud a elektroluminiscence

0102453 - FZU-D 20040504 RIV CZ cze C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Mačkal, Adam - Hazdra, P. - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hospodková, Alice - Šimeček, Tomislav
Měření elektro-optických vlastností kvantově-rozměrových struktur na bázi InAs/GaAs - fotoproud a elektroluminiscence.
[Measurement of electro-optical properties of quantum-size structures based on InAs/GaAs - photocurrent and electroluminescence.]
Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích. Brno: Masarykova Univerzita v Brně, 2003, s. 18-19.
[Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /10./. Brno (CZ), 23.06.2003-25.06.2003]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104; GA AV ČR IAA1010318
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 212300014
Klíčová slova: thin strained quantum well * InAs * GaAs * TE * TM * polarisation * electroluminescence * photoabsorption * elevated temperature
Kód oboru RIV: BH - Optika, masery a lasery

Měření absorpce a elektroluminiscence polovodičových laserů a struktur s tenkými napnutými InAs vrstvami v GaAs při různých polarizačních teplotách. Lasery vykazují vysokou účinnost a nízkou prahovou proudovou hustotu a mohou pracovat při teplotách vyšších než 100řC.

Contribution presents the electroluminescence, photoabsorption and polarization properties of semiconductor lasers with thin strained InAs layers in GaAs at elevated temperatures. The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current density and wide temperature operation range (above 100řC).
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0009802