Počet záznamů: 1
Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium
- 1.0101846 - UJF-V 20043013 DE eng A - Abstrakt
Peřina, Vratislav - Macková, Anna - Hnatowicz, Vladimír - Prajzler, V. - Machovič, V. - Matějka, P. - Schröfel, J.
Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium.
European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis, ECASIA´03 /10th/. Berlín: Unger, W. Tetzko, I. Gross, Th., 2003. s. 195.
[European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis, ECASIA´03 /10th/. 05.10.2003-10.10.2003, Berlín]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1048901
Klíčová slova: shell-model analysis * light nuclei
Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0009237
Počet záznamů: 1