Počet záznamů: 1
Vapour pressure and heat capacities of metal organic precursors, Y(thd).sub.3./sub. and Zr(thd).sub.4./sub
- 1.0100075 - FZU-D 20040051 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Fulem, Michal - Růžička, K. - Růžička, V. - Šimeček, Tomislav - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Vapour pressure and heat capacities of metal organic precursors, Y(thd)3 and Zr(thd)4
[Tlak nasycených par a měrná teplota organometalických prekurzorů Y(thd)3 and Zr(thd)4]
Journal of Crystal Growth. Roč. 264, - (2004), s. 192-200. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104
Klíčová slova: static method * vapour pressure * metalorganic chemical vapor deposition * Y and Zr precursors * .alpha.-diketonate complexes
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.707, rok: 2004
The vapour pressure of two metal organic precursors, Y(thd)3 and Zr(thd)4 used for metal organic chemical vapour deposition of high-temperature superconductor layers, was measured. The experimental data were fitted and represent updated values of the present day high-purity materials providing comparison with the previously published data
Byly změřeny tlaky nasycených par dvou organometalických prekurzorů Y(thd)3 Zr(thd)4, používaných při růstu vysokoteplotních supravodičů metodou MOCVD. Experimentální výsledky byly proloženy teoretickou křivkou a představují nejnovější údaje pro materiály s vysokou čistotou ve srovnání s dříve publikovanými údaji
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0007582
Počet záznamů: 1