Why is it That Differently Doped Regions in Semiconductors are Visible in Low Voltage SEM?

0100007 - UPT-D 20040007 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
El Gomati, M. M. - Wells, T. C. R. - Müllerová, Ilona - Frank, Luděk - Jayakody, H.
Why is it That Differently Doped Regions in Semiconductors are Visible in Low Voltage SEM?
[Proč jsou různě dopované oblasti v polovodiči viditelné v nízko-napěťovém REM?]
IEEE Transactions on Electron Devices. Roč. 51, č. 2 (2004), s. 288-292. ISSN 0018-9383. E-ISSN 1557-9646
Grant CEP: GA AV ČR IAA1065304
Klíčová slova: doping of semiconductors * SEM imaging * inspection of patterns
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 2.036, rok: 2004

Although doped regions in semiconductors have been shown to give a different secondary electron yield in low-voltage scanning electron microscopy, the basic interpretation of this contrast has been difficult. It is accepted that this contrast stem from electronic phenomenon rather than atomic number differences between differently doped regions. However, the question is whether variations in the patch fields above the sample surface, balancing variations in the inner potentials, or surface coatings and/or surface states are the mechanisms responsible for the observed contrast. The present study reports on comparative experiments of these two models and demonstrates that the image contrast can be controlled by the presence of thin-surface metallic coatings

Ačkoli bylo ukázáno, že dopované oblasti v polovodičích vykazují v nízko-napěťovém rastrovacím elektronovém mikroskopu rozdílný výtěžek sekundárních elektronů, základní interpretace tohoto kontrastu je obtížná. Je uznáváno, že tento kontrast se opírá spíše o elektronické jevy než o rozdíly v atomovém čísle mezi různě dopovanými oblastmi. Nicméně otázkou je, zdali mechanizmy odpovědnými za pozorovaný kontrast jsou proměnnost polí nad povrchem vzorku, vyrovnávajících lokální rozdíly vnitřních potenciálů, nebo povrchová pokrytí a/nebo povrchové stavy. Tato studie informuje o srovnávacích experimentech těchto dvou modelů a demonstruje, že obrazový kontrast může být ovlivňován existencí tenkého kovového pokrytí na povrchu
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0007514